Η Samsung λαμβάνει την πρώτη, παγκοσμίως, διάκριση για την περιβαλλοντική βιωσιμότητα των ημιαγωγών της

Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος τεχνολογικός ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust. Η 512GB eUFS 3.0 της

Samsung είναι η πρώτη μνήμη smartphones στη βιομηχανία που αναγνωρίζεται από έναν διεθνή οργανισμό πιστοποιήσεων, το οποίο επιτεύχθηκε χάρη στη εντατική προσπάθεια της εταιρείας για τη μείωση των αποτυπωμάτων άνθρακα και νερού.

Ο διεθνώς αναγνωρισμένος μη κερδοσκοπικός οργανισμός Carbon Trust, ιδρύθηκε από τη βρετανική κυβέρνηση με σκοπό να επιταχύνει τη μετάβαση προς μια βιώσιμη, με χαμηλό αντίκτυπο άνθρακα, βιομηχανία. Κάθε πιστοποίηση από τον Carbon Trust θεσπίστηκε μετά από ενδελεχή αξιολόγηση του περιβαλλοντικού αντίκτυπου των εκπομπών άνθρακα και της χρήσης νερού πριν αλλά και καθ’ όλη τη διάρκεια του κύκλου παραγωγής, κατά τα διεθνή πρότυπα*.

«Είμαστε ιδιαίτερα ικανοποιημένοι που οι καινοτόμες τεχνολογίες μνήμης μας αναδεικνύουν την ικανότητά μας να ξεπερνάμε πιο σύνθετες προκλήσεις σε επίπεδο διαδικασιών, και αναγνωρίζονται για την περιβαλλοντική βιωσιμότητά τους» δήλωσε ο Chanhoon Park, Executive Vice President και Head του Giheung Hwaseong Pyeongtaek Complex στη Samsung Electronics. «Η Samsung θα συνεχίσει να δημιουργεί λύσεις μνήμης που παρέχουν τα υψηλότερα επίπεδα ταχύτητας, χωρητικότητας και εξοικονόμησης ενέργειας σε ιδιαιτέρως μικρή κλίμακα μεγεθών για τους τελικούς χρήστες σε όλο τον κόσμο».

Οι καινοτομίες ημιαγωγών της Samsung για βιώσιμη παραγωγή

Βασισμένη στην μνήμη πέμπτης γενιάς (90+ επιπέδων) V-NAND, η 512GB eUFS 3.0 παρέχει βέλτιστη ταχύτητα, εξοικονόμηση ενέργειας και παραγωγικότητα προσφέροντας τη διπλάσια χωρητικότητα και κατά 2,1 φορές μεγαλύτερη διαδοχική ταχύτητα σε σύγκριση με την μνήμη τέταρτης γενιάς (64 επιπέδων) V-NAND-based 256GB eUFS 2,1. Ταυτόχρονα, απαιτεί μειωμένη λειτουργική τάση κατά 30 τοις εκατό. Επιπρόσθετα, η πέμπτης γενιάς V-NAND αξιοποιεί μια μοναδική τεχνολογία χάραξης μετάλλου που διαπερνά περισσότερα από 90 επίπεδα κελιών με ένα μόνο ακριβές βήμα. Κάτι τέτοιο επιτρέπει στο chip να έχει σχεδόν 1,5 φορές περισσότερα στοιχισμένα επίπεδα από ότι η προηγούμενη γενιά, επιτυγχάνοντας μείωση του μεγέθους του κατά 25 τοις εκατό. Τέτοιου είδους καινοτομίες βοηθούν στην ελαχιστοποίηση της συνολικής αύξησης των αποτυπωμάτων του άνθρακα και του νερού για κάθε επίπεδο κελιού V-NAND.

Επίσης, η Samsung απέκτησε σήμανση περιβαλλοντικής δήλωσης προϊόντος (EPD) για την μνήμη ‘1-terabyte (TB) eUFS 2,1 και την πέμπτης γενιάς 512-gigabit (Gb) V-NAND από το Υπουργείο Περιβάλλοντος της Κορέας.

Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει ενεργά την υιοθέτηση των προαναφερθέντων τύπων μνήμης υψηλών επιπέδων βιωσιμότητας, χωρητικότητας, και ποιότητας για πολλές περισσότερες ναυαρχίδες συσκευών smartphones και να ενισχύσει περαιτέρω τις διεθνείς συνεργασίες της για τις τεχνολογίες μνήμης επόμενης γενιάς. 

* PAS 2050 για το αποτύπωμα άνθρακα και ISO 14046 για το αποτύπωμα νερού

Samsung 512GB eUFS 3.0 περιβαλλοντικό αποτύπωμα (Carbon Trust)Αποτύπωμα ΆνθρακαΑποτύπωμα Νερού13.4 kg CO20.31 m3 H2O

 * 13.4 kg CO2 συγκρίνεται με την ποσότητα η οποία απορροφάται από δύο πευκόδεντρα 3 ετών μέσα σε ένα έτος   

Οι λύσεις ημιαγωγών Samsung semiconductor solutions με περιβαλλοντικές διευκρινίσεις

Year

Product

Certification

Accreditation Body

200964Gb DDR3 (56nm)Αποτύπωμα ΆνθρακαΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20102Gb DDR3 (46nm)Αποτύπωμα ΆνθρακαΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας201016Gb NAND (42nm)Αποτύπωμα ΆνθρακαΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20124Gb DDR3 (28nm)Χαμηλός ΆνθρακαςΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20122Gb DDR3 (35nm)Χαμηλός ΆνθρακαςΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας201264Gb NAND (27nm)Low CarbonΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20122Gb LPDDR2 (46nm)Αποτύπωμα ΆνθρακαΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20124Gb LPDDR2 (35nm)Αποτύπωμα ΆνθρακαΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20122Gb GDDR5 (35nm)Αποτύπωμα ΆνθρακαΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20128-megapixel CIS (90nm)Αποτύπωμα ΆνθρακαΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20134Gb LPDDR3 (35nm)Αποτύπωμα ΆνθρακαΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας2013Exynos 5410 (28nm)Αποτύπωμα Άνθρακα (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20134Gb GDDR5 (28nm)Χαμηλός Άνθρακας (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας201313-megapixel CIS (65nm)Χαμηλός Άνθρακας (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας201464Gb NAND (21nm)Χαμηλός ΆνθρακαςΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20144Gb LPDDR3 (25nm)Χαμηλός ΆνθρακαςΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20154Gb DDR4 (25nm)Αποτύπωμα Άνθρακα (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20164Gb LPDDR4 (20nm-class)Αποτύπωμα Άνθρακα (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας201664Gb NAND (10nm-class)Χαμηλός ΆνθρακαςΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας2017SSD 850 EVO (250GB)Περιβαλλοντική Δήλωση Προϊόντος (EPD; Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας2017SSD 850 EVO (250GB)Αποτύπωμα Νερού (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας201764Gb NAND (10nm-class)EPDΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας2018SSD 860 EVO (4TB)EPDΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας2018V4 NAND 512GBEPDΥπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας201816Gb LPDDR4EPD (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας201816Gb LPDDR4XEPD (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας2019V5 NAND 512Gb TLCEPD (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας20191TB eUFS 2.1EPD (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας2019512GB eUFS 3.0Αποτύπωμα Άνθρακα, Αποτύπωμα Νερού, (Πρωτιά στη Βιομηχανία)Carbon Trust

Συντάκτης: Δελτίο Τύπου