Μνήμη RAM 128GB DDR4 από την SK Hynix

16:16 8/4/2014 - Πηγή: TechBlog

Η εταιρία κατασκευής chip με όνομα SK Hynix από την Νότια Κορέα ανακοίνωσε ότι αναπτύσσει την πιό εξελιγμένη DDR4 μνήμη RAM χωρητικότητας 128GB. Η νέα μνήμη χρησιμοποιεί τεχνολογία Through Silicon Via (TSV) και πρόκειται να φέρει σημαντικές βελτιώσεις στην ταχύτητα και την αποτελεσματικότητα.

Σύμφωνα με τον κατασκευαστή, η DDR4 μνήμη μπορεί να φτάσει τις ταχύτητες των 2.133 Mbps, σε σύγκριση με 1.333 Mbps των DDR3. Επιπλέον, καταναλώνει λιγότερη ενέργεια, καθώς λειτουργεί με 1,2 volts, σε αντίθεση με τον προκάτοχό της που είχε σχεδιαστεί για να λειτουργεί με 1,35 volts.

Η παραγωγή της νέα 128GB DDR4 RAM αναμένεται να ξεκινήσει το πρώτο εξάμηνο του 2015.

Keywords
Τυχαία Θέματα