Τα πρώτα στο κόσμο 2ης γενιάς 10nm Class DRAM chips κατασκεύασε η Samsung

Χρησιμοποιώντας τη 2η γενιά της κατασκευαστικής μεθόδου 10nm, η Samsung κατασκεύασε τα μικρότερα 8-gigabit chips μνήμης DDR4. Tα νέα chips είναι κατά 15% ενεργειακά αποδοτικότερα και τρέχουν 10% ταχύτερα από τη περασμένη γενιά, που λανσαρίστηκε πριν από 20 μήνες.

Η παραγωγή επίσης αναμένεται να αυξηθεί κατά 30% χάρη στα καλύτερα yields, και επομένως περιμένουμε το τελικό προϊόν, δηλαδή τα αρθρώματα μνήμης DDR4 για υπολογιστές να πωλούνται φθηνότερα

μελλοντικά.
Να σημειωθεί ότι το τμήμα κατασκευής ημιαγωγών της Samsung δεν χρησιμοποίησε κάποια νέα μέθοδο EUV για να κάνει τα chips μνήμης της μικρότερα σε μέγεθος, ταχύτερα και ενεργειακά αποδοτικότερα, αλλά χρησιμοποίησε μία προηγμένη τεχνολογία σχεδίασης κυκλωμάτων, που περιλαμβάνει ένα υψηλής ευαισθησίας “cell data sensing” σύστημα (ώστε να υπολογίζονται με μεγαλύτερη ακρίβεια τα δεδομένα που αποθηκεύονται σε κάθε κελί μνήμης και επομένως το error checking να είναι αποδοτικότερο) και την εφαρμογή ενός “air spacer”, με τη βοήθεια του οποίου αντιμετωπίζεται το φαινόμενο της “παρασιτικής χωρητικότητας”.
Καθώς τα ολοένα και μικρότερα transistors πλησιάζουν όλο και πιο κοντά μεταξύ τους, πλησιάζουν όλο και περισσότερο μεταξύ τους και οι επαφές των transistors.
Επομένως, κάποια ποσότητα ηλεκτρικού φορτίου (ηλεκτρόνια) αντί να ρέει στον αγωγό για να κάνει κάτι χρήσιμο, αποθηκεύεται στα κενά αυτά, με αποτέλεσμα να χάνεται πολύτιμη ενέργεια, να θερμαίνεται όλο και περισσότερο το chip κ.ά. Με τη χρήση του νέου air spacer δημιουργούνται κενά αέρος στα contacts των transistors και έτσι μειώνεται δραματικά το φορτίο που μπορεί να αποθηκευτεί παρασιτικά στα συγκεκριμένα σημεία. Με τη χρήση του νέου air spacer όχι μόνο επιτυγχάνεται μεγαλύτερο επίπεδο κλιμάκωσης/ επέκτασης αλλά και η ταχύτερη λειτουργία των memory cells.

Το τμήμα κατασκευής ημιαγωγών της Samsung είναι ένα εξαιρετικά επιτυχημένο τμήμα της εταιρείας που φέρνει σημαντικό ποσοστό των εσόδων κατασκευάζοντας chips για εταιρείες όπως η Qualcomm ενώ κατασκευάζει chips για αρθρώματα μνήμης υπολογιστών (DDR4 DRAM) ή chips μνήμης για κάρτες γραφικών (GDDR5 DRAM) καθώς και non-volatile flash storage chips χρησιμοποιώντας κατασκευαστική μέθοδο 10nm. Σύντομα, η εταιρεία θα κάνει τη μετάβαση στα 8nm και αργότερα θα χρησιμοποιήσει μέθοδο 7nm, που όμως έχει ακόμα αρκετές προκλήσεις.

Με την 2ης γενιάς τεχνολογία κατασκευής chips στα 10nm, η Samsung θα επιταχύνει τα σχέδια της που σχετίζονται με την παραγωγή επόμενης γενιάς DRAM chips, μεταξύ των οποίων βρίσκονται και chips των τύπων DDR5, HBM3, LPDDR5 και GDDR6 για χρήση σε διακομιστές, σε φορητές συσκευές, σε υπερ-υπολογιστές, σε συστήματα HPC και σε υψηλής απόδοσης κάρτες γραφικών.

Site: Engadget
Site: TechPowerUp