IBM: Chip που τετραπλασιάσει τη διάρκεια της μπαταρίας

Η IBM έχει αναπτύξει μια διαδικασία για την κατασκευή 5nm chips. Το 5nm chip χρησιμοποιεί “gate-all-around” transistor (GAAFET), με το υλικό της “πύλης” τυλιγμένο γύρω από ένα τρίο οριζόντιων “nanosheets” πυριτίου, ενώ το κάθετο fin design (FinFET) χρησιμοποιείται στα σημερινά chips.

Η IBM ισχυρίζεται ότι το FinFET θα μπορούσε ενδεχομένως να μειωθεί

σε 5nm, αλλά υπάρχει ένα ανώτατο όριο απόδοσης σε αυτό το σχέδιο λόγω των ορίων της ροής ρεύματος μέσω των μικροσκοπικών πτερυγίων σε αυτή την κλίμακα. Κατά κάποιον τρόπο, η αρχιτεκτονική “gate-all-around” είναι πιο απλή από τη FinFET και πιθανόν να μπορεί να κλιμακωθεί έως 3nm.

Η IBM ισχυρίζεται ότι τα τσιπ που βασίζονται σε αυτό το νέο σχεδιασμό μπορούν να έχουν κέρδη απόδοσης 40% σε σχέση με τα τσιπ 10nm που βρίσκονται σήμερα στην παραγωγή, στο ίδιο επίπεδο ισχύος.

Το πιο ενδιαφέρον είναι ότι μπορεί να γίνει εξοικονόμηση ενέργειας έως και 75% στο επίπεδο απόδοσης της τρέχουσας γενιάς. Η νέα διαδικασία EUV lithography (Extreme Ultraviolet), που χρησιμοποιείται εδώ επιτρέπει επίσης να ρυθμίζεται συνεχώς το πλάτος του nanosheet σε ένα ενιαίο σχέδιο chip, το οποίο σημαίνει ότι τα κυκλώματα μπορούν να ρυθμιστούν με ακρίβεια για ισχύ και απόδοση σε ένα πέρασμα κατασκευής.